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650V/700V/730V/800V Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì)，使用先進(jìn)的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過安規(guī)認(rèn)證；超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應(yīng)更高的開關(guān)頻率；DFN超薄外形封裝，可應(yīng)用于小體積PD快速充電器。

反激是指反激高頻變壓器隔離輸入輸出回路的開關(guān)電源，mos導(dǎo)通時(shí)，輸出變壓器充當(dāng)電感，電能轉(zhuǎn)化為磁能，此時(shí)輸出回路無電流，相反，當(dāng)mos關(guān)斷時(shí)，輸出變壓器釋放能量，磁能轉(zhuǎn)化為電能，輸出回路有電流。反激電路元器件少，電路簡(jiǎn)單成本低體積小可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路

DT MOS/Trench MOS

DT MOSFET是采用了具有降低表面電場(chǎng)(Reduced Surface) 原理的屏蔽柵（或稱為分立柵）MOSFET技術(shù)(Shield/Split Gate ）的Trench MOSFET，從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg)。                

Trench MOS優(yōu)化了芯片的元胞設(shè)計(jì)和版圖布局，可以提高器件各個(gè)方向的電流均勻性，有效防止在極限工作下部分區(qū)域的提前失效，增強(qiáng)了產(chǎn)品功率密度和可靠性

同步整流Rectification MOSFET在開關(guān)電源中用于提高電源的效率，它替代輸出整流二極管，利用其導(dǎo)通內(nèi)阻低的特點(diǎn)彌補(bǔ)二極管導(dǎo)通損耗高的缺陷。

600V/650V Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì)，使用先進(jìn)的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過安規(guī)認(rèn)證；超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應(yīng)更高的開關(guān)頻率。

PFC（功率因數(shù)校正）拓?fù)涑Ｒ姷墓ぷ髂Ｊ接蠧CM電流連續(xù)型、DCM不連續(xù)型和CRM臨界型三種，PFC拓?fù)鋵?duì)MOS管的要求比較高，在保證系統(tǒng)效率和溫升的條件下，要盡可能的提升系統(tǒng)穩(wěn)定性用來改善電子或電力設(shè)備裝置的功率因素，用于提高配電設(shè)備及其配線的利用率,以降低設(shè)備的裝置容量；

紫光微可以提供 600V，650V ，700V 的多次外延（ Multi-EPI ）SJMOS，PFC可選擇。

600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振半橋電路應(yīng)用，具有高速快恢復(fù)二極管（FRD），短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr），適用于當(dāng)再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì)導(dǎo)致恢復(fù)損耗的應(yīng)用。

LLC拓?fù)涑Ｓ糜诖蠊β手C振式變換器，是150W至1.6kW應(yīng)用的理想選擇。因采用零電壓開關(guān)（ZVS）而實(shí)現(xiàn)了非常高的工作效率，在大幅度減小開關(guān)損耗的同時(shí)還可以有更高的功率密度，可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、電動(dòng)汽車充電樁等領(lǐng)域

無錫紫光微提供的BV為650V的MutliEPISJ-MOS可用于諧波半橋電源應(yīng)用,也提供具有高速快恢復(fù)二極管（FRD）的MutliEPISJ-MOS，且二極管具有短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr），適用于當(dāng)再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì)導(dǎo)致恢復(fù)損耗的應(yīng)用

600V/650V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS

帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應(yīng)用，具有高速快恢復(fù)二極管（FRD），短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr），適用于當(dāng)再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì)導(dǎo)致恢復(fù)損耗的應(yīng)用。

逆變電路工作原理開關(guān)T1、T4閉合，T2、T3斷開: 開關(guān)T1、T4斷開，T2、T3閉合當(dāng)以頻率fS交替切換開關(guān)T1、T4和 T2 、T3 時(shí) ， 則 在 負(fù)載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負(fù)交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，這樣，就將直流電壓變成了交流電壓

Multi-EPI SJ MOS

基于革命性超結(jié) (SJ) 原理設(shè)計(jì)，使用先進(jìn)的多次外延（Multi-EPI）工藝技術(shù)制造，擁有更優(yōu)的EMI特性，更容易通過安規(guī)認(rèn)證；超低導(dǎo)通電阻和結(jié)電容，有效降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，效率高，發(fā)熱小，可以適應(yīng)更高的開關(guān)頻率。

正激式開關(guān)電源在硬開關(guān)應(yīng)用中有單管正激和雙管正激兩種，對(duì)于單管正激，由于變壓器需要增加額外的磁復(fù)位繞組，在主開關(guān)MOS管關(guān)斷時(shí)，MOS管會(huì)承受兩倍于輸入電壓的應(yīng)力，因此該類拓?fù)鋺?yīng)用中我們推薦高BV的MOS管，以應(yīng)對(duì)電壓變化帶來的沖擊。

雙管正激，它是非常穩(wěn)定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，工作頻率不高，也不會(huì)出現(xiàn)過大的沖擊電流，對(duì)MOS管的要求相對(duì)寬松，每個(gè)mos理論上的電壓為直流母線電壓，對(duì)選取相對(duì)較低耐壓mos，同時(shí)Rdson較小，可進(jìn)一步提高效率通常應(yīng)用于計(jì)算機(jī)主電源，中等功率通信電源，變頻器等輔助電源